AFN2912W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFN2912W
Código: W12*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 VQgⓘ - Carga de la puerta: 4.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFN2912W
AFN2912W Datasheet (PDF)
afn2912w.pdf
AFN2912W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2912W, N-Channel enhancement mode 20V/4.5A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.6A,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=78m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su
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Liste
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