AFN2912W Todos los transistores

 

AFN2912W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN2912W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L
 

 Búsqueda de reemplazo de AFN2912W MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AFN2912W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:764K  alfa-mos
 afn2912w.pdf pdf_icon

AFN2912W

AFN2912W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2912W, N-Channel enhancement mode 20V/4.5A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.6A,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=78m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

Otros transistores... AFN2324 , AFN2324A , AFN2330 , AFN2330A , AFN2336A , AFN2354 , AFN2376 , AFN2604 , STP75NF75 , AFN3006S , AFN3009S , AFN3015S , AFN3016S , AFN3019S , AFN3025S , AFN3030 , AFN3302W .

History: IPP100N08S2-07

 

 
Back to Top

 


 
.