Справочник MOSFET. AFN2912W

 

AFN2912W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN2912W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
 

 Аналог (замена) для AFN2912W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN2912W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:764K  alfa-mos
 afn2912w.pdf pdf_icon

AFN2912W

AFN2912W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2912W, N-Channel enhancement mode 20V/4.5A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.6A,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=78m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

Другие MOSFET... AFN2324 , AFN2324A , AFN2330 , AFN2330A , AFN2336A , AFN2354 , AFN2376 , AFN2604 , AON7408 , AFN3006S , AFN3009S , AFN3015S , AFN3016S , AFN3019S , AFN3025S , AFN3030 , AFN3302W .

History: AFN3306WS | AFN3400 | STV300NH02L | 2SJ259 | IPI600N25N3 | TK40S06N1L | IRFI4110GPBF

 

 
Back to Top

 


 
.