AFN2912W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN2912W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-6L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN2912W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN2912W даташит

 ..1. Size:764K  alfa-mos
 afn2912w.pdf pdf_icon

AFN2912W

AFN2912W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN2912W, N-Channel enhancement mode 20V/4.5A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.6A,RDS(ON)=60m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=78m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

Другие IGBT... AFN2324, AFN2324A, AFN2330, AFN2330A, AFN2336A, AFN2354, AFN2376, AFN2604, IRFP250N, AFN3006S, AFN3009S, AFN3015S, AFN3016S, AFN3019S, AFN3025S, AFN3030, AFN3302W