AFN3806W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFN3806W  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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AFN3806W datasheet

 ..1. Size:607K  alfa-mos
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AFN3806W

AFN3806W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3806W, N-Channel enhancement mode 20V/ 9A,RDS(ON)=26m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/ 8A,RDS(ON)=32m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/ 6A,RDS(ON)=42m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super

 9.1. Size:622K  alfa-mos
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AFN3806W

AFN3814W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3814W, N-Channel enhancement mode 20V/ 14A,RDS(ON)=14m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/ 12A,RDS(ON)=18m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/ 10A,RDS(ON)=30m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

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