Справочник MOSFET. AFN3806W

 

AFN3806W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN3806W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN3806W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:607K  alfa-mos
 afn3806w.pdf pdf_icon

AFN3806W

AFN3806W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3806W, N-Channel enhancement mode 20V/ 9A,RDS(ON)=26m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/ 8A,RDS(ON)=32m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/ 6A,RDS(ON)=42m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super

 9.1. Size:622K  alfa-mos
 afn3814w.pdf pdf_icon

AFN3806W

AFN3814W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3814W, N-Channel enhancement mode 20V/ 14A,RDS(ON)=14m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/ 12A,RDS(ON)=18m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/ 10A,RDS(ON)=30m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRLR3714Z | IPU60R1K0CE

 

 
Back to Top

 


 
.