AFN3806W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN3806W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN3806W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN3806W даташит

 ..1. Size:607K  alfa-mos
 afn3806w.pdf pdf_icon

AFN3806W

AFN3806W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3806W, N-Channel enhancement mode 20V/ 9A,RDS(ON)=26m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/ 8A,RDS(ON)=32m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/ 6A,RDS(ON)=42m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super

 9.1. Size:622K  alfa-mos
 afn3814w.pdf pdf_icon

AFN3806W

AFN3814W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3814W, N-Channel enhancement mode 20V/ 14A,RDS(ON)=14m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/ 12A,RDS(ON)=18m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/ 10A,RDS(ON)=30m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

Другие IGBT... AFN3460, AFN3466, AFN3484, AFN3484S, AFN3606S, AFN3609S, AFN3630, AFN3684S, P60NF06, AFN3814W, AFN4048WS, AFN4102W, AFN4134, AFN4134W, AFN4172S, AFN4172WS, AFN4210