AFN3814W Todos los transistores

 

AFN3814W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN3814W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AFN3814W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:622K  alfa-mos
 afn3814w.pdf pdf_icon

AFN3814W

AFN3814W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3814W, N-Channel enhancement mode 20V/ 14A,RDS(ON)=14m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/ 12A,RDS(ON)=18m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/ 10A,RDS(ON)=30m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

 9.1. Size:607K  alfa-mos
 afn3806w.pdf pdf_icon

AFN3814W

AFN3806W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3806W, N-Channel enhancement mode 20V/ 9A,RDS(ON)=26m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/ 8A,RDS(ON)=32m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/ 6A,RDS(ON)=42m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super

Otros transistores... AFN3466 , AFN3484 , AFN3484S , AFN3606S , AFN3609S , AFN3630 , AFN3684S , AFN3806W , IRF520 , AFN4048WS , AFN4102W , AFN4134 , AFN4134W , AFN4172S , AFN4172WS , AFN4210 , AFN4210W .

History: SVF830F | BSS123LT1G | AP2311GN

 

 
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