Справочник MOSFET. AFN3814W

 

AFN3814W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN3814W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для AFN3814W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN3814W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:622K  alfa-mos
 afn3814w.pdf pdf_icon

AFN3814W

AFN3814W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3814W, N-Channel enhancement mode 20V/ 14A,RDS(ON)=14m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/ 12A,RDS(ON)=18m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/ 10A,RDS(ON)=30m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

 9.1. Size:607K  alfa-mos
 afn3806w.pdf pdf_icon

AFN3814W

AFN3806W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3806W, N-Channel enhancement mode 20V/ 9A,RDS(ON)=26m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/ 8A,RDS(ON)=32m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/ 6A,RDS(ON)=42m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super

Другие MOSFET... AFN3466 , AFN3484 , AFN3484S , AFN3606S , AFN3609S , AFN3630 , AFN3684S , AFN3806W , IRF520 , AFN4048WS , AFN4102W , AFN4134 , AFN4134W , AFN4172S , AFN4172WS , AFN4210 , AFN4210W .

 

 
Back to Top

 


 
.