AFN4546 Todos los transistores

 

AFN4546 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN4546
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8P
 

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AFN4546 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  alfa-mos
 afn4546.pdf pdf_icon

AFN4546

AFN4546 Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4546, N-Channel enhancement mode 40V/6.8A,RDS(ON)=52m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/5.6A,RDS(ON)=70m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

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History: H12N60E | HAT2268C | SM140R50CT2TL | NVMFD5C478N | AOE6932 | NTMFD4C20N | RHU003N03

 

 
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