AFN4546 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN4546  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: SOP-8P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN4546

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN4546 даташит

 ..1. Size:279K  alfa-mos
 afn4546.pdf pdf_icon

AFN4546

AFN4546 Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4546, N-Channel enhancement mode 40V/6.8A,RDS(ON)=52m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/5.6A,RDS(ON)=70m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

Другие IGBT... AFN4412, AFN4412W, AFN4422, AFN4424, AFN4424W, AFN4440, AFN4440W, AFN4486, AO4468, AFN4634WS, AFN4804, AFN4808W, AFN4822S, AFN4822WS, AFN4850WS, AFN4874WS, AFN4896