AFN4546 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AFN4546
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
Тип корпуса: SOP-8P
AFN4546 Datasheet (PDF)
afn4546.pdf

AFN4546 Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4546, N-Channel enhancement mode 40V/6.8A,RDS(ON)=52m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/5.6A,RDS(ON)=70m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for
Другие MOSFET... AFN4412 , AFN4412W , AFN4422 , AFN4424 , AFN4424W , AFN4440 , AFN4440W , AFN4486 , IRFP064N , AFN4634WS , AFN4804 , AFN4808W , AFN4822S , AFN4822WS , AFN4850WS , AFN4874WS , AFN4896 .
History: WMQ42P03T1
History: WMQ42P03T1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: P80NF70 | MPT65N08S | MPT65N08 | MPT045N08S | MPT045N08P | MPT042N10S | MPT042N10P | MPT037N08S | MPT037N08P | MPT028N10S | MPG55N06P | MPG50N06P | MPG40P10P | MPG30P10P | MPG160N04P | MPS100N06
Popular searches
toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent