IRLSZ14A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLSZ14A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLSZ14A

IRLSZ14A Datasheet (PDF)

..1. Size:215K samsung
irlsz14a.pdf

IRLSZ14AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.155 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 8 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220F Extended Safe Operating AreaA (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.122 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolut

9.1. Size:219K samsung
irlsz34a.pdf

IRLSZ34AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.046 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 20 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220F Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.033 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute

9.2. Size:218K samsung
irlsz24a.pdf

IRLSZ24AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.075 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 14 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220F Extended Safe Operating AreaA (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.061 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolut

9.3. Size:221K samsung
irlsz44a.pdf

IRLSZ44AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.025 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 30 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220F Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.02 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute M

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