IRLSZ14A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRLSZ14A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7.2 nC
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 100 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.155 Ohm
Тип корпуса: TO220F
IRLSZ14A Datasheet (PDF)
irlsz14a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRLSZ14AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.155 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 8 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220F Extended Safe Operating AreaA (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.122 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolut
irlsz34a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRLSZ34AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.046 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 20 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220F Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.033 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute
irlsz24a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRLSZ24AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.075 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 14 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220F Extended Safe Operating AreaA (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.061 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolut
irlsz44a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRLSZ44AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.025 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 30 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220F Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.02 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute M
Другие MOSFET... IRLS510A , IRLS520A , IRLS530A , IRLS540A , IRLS610A , IRLS620A , IRLS630A , IRLS640A , NCEP85T25VD , IRLSZ24A , IRLSZ34A , IRLSZ44A , IRLU010 , IRLU014 , IRLU014A , IRLU020 , IRLU024 .
![IRLSZ14A](https://alltransistors.com/images/us.png)
![IRLSZ14A](https://alltransistors.com/images/es.png)
![IRLSZ14A](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C