AFN5004S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFN5004S
Código: 5004S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFN5004S
AFN5004S Datasheet (PDF)
afn5004s.pdf
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afn501dea.pdf
AFN501DEA Alfa-MOS 600V N-Channel Technology Depletion Mode Power MOSFET General Description Features AFN501DEA is an N-channel depletion-mode 600V/16mA,RDS(ON)=700@VGS=10V Power MOSEFT which is produced using 600V/3mA,RDS(ON)=700@VGS=4.5V VDMOS technology. The improved planar stripe Depletion-mode ( Normally-on) cell have been especially tailored to minimize
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