AFN5004S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN5004S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN5004S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN5004S даташит

 ..1. Size:749K  alfa-mos
 afn5004s.pdf pdf_icon

AFN5004S

AFN5004S Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5004S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 5.5m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/15A,RDS(ON)= 6.5m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 9.1. Size:523K  alfa-mos
 afn501dea.pdf pdf_icon

AFN5004S

AFN501DEA Alfa-MOS 600V N-Channel Technology Depletion Mode Power MOSFET General Description Features AFN501DEA is an N-channel depletion-mode 600V/16mA,RDS(ON)=700 @VGS=10V Power MOSEFT which is produced using 600V/3mA,RDS(ON)=700 @VGS=4.5V VDMOS technology. The improved planar stripe Depletion-mode ( Normally-on) cell have been especially tailored to minimize

Другие IGBT... AFN4936WS, AFN4946, AFN4946BW, AFN4946W, AFN4996, AFN4997, AFN4998, AFN4998W, IRFB4115, AFN501DEA, AFN5800, AFN5800W, AFN5808W, AFN5904W, AFN5908W, AFN6011S, AFN6018S