AFN5800 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AFN5800
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFN5800

AFN5800 Datasheet (PDF)

..1. Size:598K alfa-mos
afn5800.pdf

AFN5800 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5800, N-Channel enhancement mode 20V/7.0A,RDS(ON)=23m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/6.0A,RDS(ON)=25m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/4.5A,RDS(ON)=28m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

0.1. Size:599K alfa-mos
afn5800w.pdf

AFN5800W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5800W, N-Channel enhancement mode 20V/8.0A,RDS(ON)=19m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/7.0A,RDS(ON)=20m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/6.0A,RDS(ON)=24m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V

8.1. Size:597K alfa-mos
afn5808w.pdf

AFN5808W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5808W, N-Channel enhancement mode 20V/6.2A,RDS(ON)=32m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.6A,RDS(ON)=38m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.8A,RDS(ON)=50m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

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Liste

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