AFN5800 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AFN5800
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: DFN2X5
Аналог (замена) для AFN5800
AFN5800 Datasheet (PDF)
afn5800.pdf

AFN5800 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5800, N-Channel enhancement mode 20V/7.0A,RDS(ON)=23m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/6.0A,RDS(ON)=25m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/4.5A,RDS(ON)=28m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe
afn5800w.pdf

AFN5800W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5800W, N-Channel enhancement mode 20V/8.0A,RDS(ON)=19m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/7.0A,RDS(ON)=20m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/6.0A,RDS(ON)=24m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low 20V
afn5808w.pdf

AFN5808W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5808W, N-Channel enhancement mode 20V/6.2A,RDS(ON)=32m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.6A,RDS(ON)=38m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.8A,RDS(ON)=50m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su
Другие MOSFET... AFN4946BW , AFN4946W , AFN4996 , AFN4997 , AFN4998 , AFN4998W , AFN5004S , AFN501DEA , IRFB4115 , AFN5800W , AFN5808W , AFN5904W , AFN5908W , AFN6011S , AFN6018S , AFN6202S , AFN6424S .
History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60
History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940