AFN6011S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFN6011S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm

Encapsulados: TO-220

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AFN6011S datasheet

 ..1. Size:551K  alfa-mos
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AFN6011S

AFN6011S Alfa-MOS 65V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6011S, N-Channel enhancement mode 65V/40A, RDS(on)= 7.8m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 65V/20A, RDS(on)=10m @VGS=6.0V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited fo

 8.1. Size:560K  alfa-mos
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AFN6011S

AFN6018S Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6018S, N-Channel enhancement mode 60V/25A,RDS(ON)= 17m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/15A,RDS(ON)= 37m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for

Otros transistores... AFN4998W, AFN5004S, AFN501DEA, AFN5800, AFN5800W, AFN5808W, AFN5904W, AFN5908W, IRF9540, AFN6018S, AFN6202S, AFN6424S, AFN6520S, AFN6530S, AFN6561, AFN6562, AFN6820