Справочник MOSFET. AFN6011S

 

AFN6011S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN6011S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 95 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для AFN6011S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN6011S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:551K  alfa-mos
 afn6011s.pdf pdf_icon

AFN6011S

AFN6011S Alfa-MOS 65V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6011S, N-Channel enhancement mode 65V/40A, RDS(on)= 7.8m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 65V/20A, RDS(on)=10m@VGS=6.0V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited fo

 8.1. Size:560K  alfa-mos
 afn6018s.pdf pdf_icon

AFN6011S

AFN6018S Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6018S, N-Channel enhancement mode 60V/25A,RDS(ON)= 17m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/15A,RDS(ON)= 37m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for

Другие MOSFET... AFN4998W , AFN5004S , AFN501DEA , AFN5800 , AFN5800W , AFN5808W , AFN5904W , AFN5908W , K3569 , AFN6018S , AFN6202S , AFN6424S , AFN6520S , AFN6530S , AFN6561 , AFN6562 , AFN6820 .

History: ELM18822BA | PA210HV | HAT2142H | SI7409ADN | TSM5ND50CH

 

 
Back to Top

 


 
.