AFN6011S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AFN6011S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 95 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
Тип корпуса: TO-220
AFN6011S Datasheet (PDF)
afn6011s.pdf
AFN6011S Alfa-MOS 65V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6011S, N-Channel enhancement mode 65V/40A, RDS(on)= 7.8m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 65V/20A, RDS(on)=10m@VGS=6.0V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited fo
afn6018s.pdf
AFN6018S Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6018S, N-Channel enhancement mode 60V/25A,RDS(ON)= 17m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/15A,RDS(ON)= 37m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918