AFN6011S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN6011S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 95 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN6011S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN6011S даташит

 ..1. Size:551K  alfa-mos
 afn6011s.pdf pdf_icon

AFN6011S

AFN6011S Alfa-MOS 65V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6011S, N-Channel enhancement mode 65V/40A, RDS(on)= 7.8m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 65V/20A, RDS(on)=10m @VGS=6.0V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited fo

 8.1. Size:560K  alfa-mos
 afn6018s.pdf pdf_icon

AFN6011S

AFN6018S Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6018S, N-Channel enhancement mode 60V/25A,RDS(ON)= 17m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/15A,RDS(ON)= 37m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for

Другие IGBT... AFN4998W, AFN5004S, AFN501DEA, AFN5800, AFN5800W, AFN5808W, AFN5904W, AFN5908W, IRF9540, AFN6018S, AFN6202S, AFN6424S, AFN6520S, AFN6530S, AFN6561, AFN6562, AFN6820