IRLSZ44A Todos los transistores

 

IRLSZ44A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLSZ44A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 555 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de IRLSZ44A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRLSZ44A datasheet

 ..1. Size:221K  samsung
 irlsz44a.pdf pdf_icon

IRLSZ44A

IRLSZ44A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Logic Level Gate Drive RDS(on) = 0.025 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 30 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge TO-220F Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) 0.02 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute M

 9.1. Size:219K  samsung
 irlsz34a.pdf pdf_icon

IRLSZ44A

IRLSZ34A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Logic Level Gate Drive RDS(on) = 0.046 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 20 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge TO-220F Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) 0.033 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute

 9.2. Size:215K  samsung
 irlsz14a.pdf pdf_icon

IRLSZ44A

IRLSZ14A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Logic Level Gate Drive RDS(on) = 0.155 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 8 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge TO-220F Extended Safe Operating Area A (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current 10 Lower RDS(ON) 0.122 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolut

 9.3. Size:218K  samsung
 irlsz24a.pdf pdf_icon

IRLSZ44A

IRLSZ24A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Logic Level Gate Drive RDS(on) = 0.075 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 14 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge TO-220F Extended Safe Operating Area A (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current 10 Lower RDS(ON) 0.061 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolut

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRLS540A , IRLS610A , IRLS620A , IRLS630A , IRLS640A , IRLSZ14A , IRLSZ24A , IRLSZ34A , IRFZ48N , IRLU010 , IRLU014 , IRLU014A , IRLU020 , IRLU024 , IRLU024A , IRLU024N , IRLU110A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.