IRLSZ44A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRLSZ44A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
trⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO220F
IRLSZ44A Datasheet (PDF)
irlsz44a.pdf
IRLSZ44AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.025 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 30 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220F Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.02 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute M
irlsz34a.pdf
IRLSZ34AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.046 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 20 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220F Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.033 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute
irlsz14a.pdf
IRLSZ14AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.155 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 8 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220F Extended Safe Operating AreaA (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.122 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolut
irlsz24a.pdf
IRLSZ24AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.075 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 14 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220F Extended Safe Operating AreaA (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.061 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolut
Другие MOSFET... IRLS540A , IRLS610A , IRLS620A , IRLS630A , IRLS640A , IRLSZ14A , IRLSZ24A , IRLSZ34A , AO3407 , IRLU010 , IRLU014 , IRLU014A , IRLU020 , IRLU024 , IRLU024A , IRLU024N , IRLU110A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918