AFN6202S Todos los transistores

 

AFN6202S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN6202S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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AFN6202S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  alfa-mos
 afn6202s.pdf pdf_icon

AFN6202S

AFN6202S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6202S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=5.2m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/10A,RDS(ON)=7.0m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

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History: LSGH10R085W3 | SIHFBC40S | BL3N90E-A | SUM90N03-2M2P | IRF7739L1 | 2SK2030 | AON6354

 

 
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