AFN6202S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFN6202S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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AFN6202S datasheet

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AFN6202S

AFN6202S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6202S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=5.2m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/10A,RDS(ON)=7.0m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

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