Справочник MOSFET. AFN6202S

 

AFN6202S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN6202S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AFN6202S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN6202S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  alfa-mos
 afn6202s.pdf pdf_icon

AFN6202S

AFN6202S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6202S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=5.2m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/10A,RDS(ON)=7.0m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

Другие MOSFET... AFN501DEA , AFN5800 , AFN5800W , AFN5808W , AFN5904W , AFN5908W , AFN6011S , AFN6018S , IRFP260 , AFN6424S , AFN6520S , AFN6530S , AFN6561 , AFN6562 , AFN6820 , AFN6830 , AFN7002AS .

History: DMN3115UDM | IRF7756GPBF | P8315BD | AFN6018S

 

 
Back to Top

 


 
.