AFN6202S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN6202S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN6202S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN6202S даташит

 ..1. Size:574K  alfa-mos
 afn6202s.pdf pdf_icon

AFN6202S

AFN6202S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6202S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=5.2m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/10A,RDS(ON)=7.0m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

Другие IGBT... AFN501DEA, AFN5800, AFN5800W, AFN5808W, AFN5904W, AFN5908W, AFN6011S, AFN6018S, 2SK3878, AFN6424S, AFN6520S, AFN6530S, AFN6561, AFN6562, AFN6820, AFN6830, AFN7002AS