AFN6424S Todos los transistores

 

AFN6424S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN6424S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

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AFN6424S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  alfa-mos
 afn6424s.pdf pdf_icon

AFN6424S

AFN6424S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6424S, N-Channel enhancement mode 30V/5.0A,RDS(ON)=38m@VGS=10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/4.0A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

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History: DMN2022UFDF | APT8024JFLL | STD4NK100Z | PMN30XPE | 2SJ450 | NTD65N03R-035 | JCS7N70R

 

 
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