Справочник MOSFET. AFN6424S

 

AFN6424S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN6424S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN6424S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  alfa-mos
 afn6424s.pdf pdf_icon

AFN6424S

AFN6424S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6424S, N-Channel enhancement mode 30V/5.0A,RDS(ON)=38m@VGS=10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/4.0A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: STF20NM60D | 2SJ542 | BSS138A | AONU32320 | AP4N4R2H | YTF840

 

 
Back to Top

 


 
.