AFN6424S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AFN6424S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 70 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.038 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
AFN6424S Datasheet (PDF)
..1. Size:574K alfa-mos
afn6424s.pdf
afn6424s.pdf
AFN6424S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6424S, N-Channel enhancement mode 30V/5.0A,RDS(ON)=38m@VGS=10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/4.0A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
