Справочник MOSFET. AFN6424S

 

AFN6424S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN6424S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для AFN6424S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN6424S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  alfa-mos
 afn6424s.pdf pdf_icon

AFN6424S

AFN6424S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6424S, N-Channel enhancement mode 30V/5.0A,RDS(ON)=38m@VGS=10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/4.0A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

Другие MOSFET... AFN5800 , AFN5800W , AFN5808W , AFN5904W , AFN5908W , AFN6011S , AFN6018S , AFN6202S , 12N60 , AFN6520S , AFN6530S , AFN6561 , AFN6562 , AFN6820 , AFN6830 , AFN7002AS , AFN7002DS .

History: IXTT24N50Q | IRF7749L1 | BUK9Y30-75B

 

 
Back to Top

 


 
.