AFN6424S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN6424S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN6424S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN6424S даташит

 ..1. Size:574K  alfa-mos
 afn6424s.pdf pdf_icon

AFN6424S

AFN6424S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6424S, N-Channel enhancement mode 30V/5.0A,RDS(ON)=38m @VGS=10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/4.0A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

Другие IGBT... AFN5800, AFN5800W, AFN5808W, AFN5904W, AFN5908W, AFN6011S, AFN6018S, AFN6202S, STP75NF75, AFN6520S, AFN6530S, AFN6561, AFN6562, AFN6820, AFN6830, AFN7002AS, AFN7002DS