AFN6820 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AFN6820
   Código: 20*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.8 V
   Carga de la puerta (Qg): 4.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFN6820

AFN6820 Datasheet (PDF)

..1. Size:583K alfa-mos
afn6820.pdf

AFN6820 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6820, N-Channel enhancement mode 20V/3.4A,RDS(ON)=58m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.0A,RDS(ON)=68m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=88m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

9.1. Size:579K alfa-mos
afn6830.pdf

AFN6830 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6830, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=75m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/3.0A,RDS(ON)=85m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=155m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low Supe

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Liste

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