Справочник MOSFET. AFN6820

 

AFN6820 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN6820
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для AFN6820

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN6820 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:583K  alfa-mos
 afn6820.pdf pdf_icon

AFN6820

AFN6820 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6820, N-Channel enhancement mode 20V/3.4A,RDS(ON)=58m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.0A,RDS(ON)=68m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=88m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

 9.1. Size:579K  alfa-mos
 afn6830.pdf pdf_icon

AFN6820

AFN6830 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6830, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=75m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/3.0A,RDS(ON)=85m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=155m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low Supe

Другие MOSFET... AFN6011S , AFN6018S , AFN6202S , AFN6424S , AFN6520S , AFN6530S , AFN6561 , AFN6562 , AO3400 , AFN6830 , AFN7002AS , AFN7002DS , AFN7002KAS , AFN7106S , AFN7400 , AFN7402 , AFN7412 .

History: STF13N60M2 | IXTQ44P15T | CS7456 | SIHFD014 | HGN028NE6AL | SI7491DP

 

 
Back to Top

 


 
.