AFN6830 Todos los transistores

 

AFN6830 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN6830
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

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AFN6830 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  alfa-mos
 afn6830.pdf pdf_icon

AFN6830

AFN6830 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6830, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=75m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/3.0A,RDS(ON)=85m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=155m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low Supe

 9.1. Size:583K  alfa-mos
 afn6820.pdf pdf_icon

AFN6830

AFN6820 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6820, N-Channel enhancement mode 20V/3.4A,RDS(ON)=58m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.0A,RDS(ON)=68m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=88m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

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History: HTD1K5N10 | QM3014M6

 

 
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