AFN6830 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFN6830  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de AFN6830 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AFN6830 datasheet

 ..1. Size:579K  alfa-mos
 afn6830.pdf pdf_icon

AFN6830

AFN6830 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6830, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=75m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/3.0A,RDS(ON)=85m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=155m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low Supe

 9.1. Size:583K  alfa-mos
 afn6820.pdf pdf_icon

AFN6830

AFN6820 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6820, N-Channel enhancement mode 20V/3.4A,RDS(ON)=58m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.0A,RDS(ON)=68m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=88m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

Otros transistores... AFN6018S, AFN6202S, AFN6424S, AFN6520S, AFN6530S, AFN6561, AFN6562, AFN6820, K3569, AFN7002AS, AFN7002DS, AFN7002KAS, AFN7106S, AFN7400, AFN7402, AFN7412, AFN7420