AFN6830 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN6830  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN6830

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN6830 даташит

 ..1. Size:579K  alfa-mos
 afn6830.pdf pdf_icon

AFN6830

AFN6830 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6830, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=75m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/3.0A,RDS(ON)=85m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=155m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low Supe

 9.1. Size:583K  alfa-mos
 afn6820.pdf pdf_icon

AFN6830

AFN6820 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN6820, N-Channel enhancement mode 20V/3.4A,RDS(ON)=58m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.0A,RDS(ON)=68m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=88m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

Другие IGBT... AFN6018S, AFN6202S, AFN6424S, AFN6520S, AFN6530S, AFN6561, AFN6562, AFN6820, K3569, AFN7002AS, AFN7002DS, AFN7002KAS, AFN7106S, AFN7400, AFN7402, AFN7412, AFN7420