AFN7002AS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFN7002AS  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.64 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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AFN7002AS datasheet

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AFN7002AS

AFN7002AS Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7002AS, N-Channel enhancement mode 60V/0.5A , RDS(ON)=3000m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/0.3A , R DS(ON)=4000m @VGS=5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

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AFN7002AS

AFN7002KAS Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7002KAS, N-Channel enhancement mode 60V/0.5A , RDS(ON)=2.4 @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/0.3A , R DS(ON)=3.0 @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

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AFN7002AS

AFN7002DS Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7002DS, N-Channel enhancement mode 60V/0.5A,RDS(ON)=3000m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/0.3A,RDS(ON)=4000m @VGS=5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low Low-V

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