AFN7002AS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AFN7002AS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.64 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFN7002AS

AFN7002AS Datasheet (PDF)

..1. Size:397K alfa-mos
afn7002as.pdf

AFN7002AS Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7002AS, N-Channel enhancement mode 60V/0.5A , RDS(ON)=3000m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/0.3A , R DS(ON)=4000m@VGS=5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

7.1. Size:736K alfa-mos
afn7002kas.pdf

AFN7002KAS Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7002KAS, N-Channel enhancement mode 60V/0.5A , RDS(ON)=2.4@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/0.3A , R DS(ON)=3.0@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

7.2. Size:538K alfa-mos
afn7002ds.pdf

AFN7002DS Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7002DS, N-Channel enhancement mode 60V/0.5A,RDS(ON)=3000m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/0.3A,RDS(ON)=4000m@VGS=5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low Low-V

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