AFN7002AS datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AFN7002AS 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.64 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AFN7002AS
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AFN7002AS даташит
afn7002as.pdf
AFN7002AS Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7002AS, N-Channel enhancement mode 60V/0.5A , RDS(ON)=3000m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/0.3A , R DS(ON)=4000m @VGS=5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly
afn7002kas.pdf
AFN7002KAS Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7002KAS, N-Channel enhancement mode 60V/0.5A , RDS(ON)=2.4 @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/0.3A , R DS(ON)=3.0 @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly
afn7002ds.pdf
AFN7002DS Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7002DS, N-Channel enhancement mode 60V/0.5A,RDS(ON)=3000m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/0.3A,RDS(ON)=4000m @VGS=5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low Low-V
Другие IGBT... AFN6202S, AFN6424S, AFN6520S, AFN6530S, AFN6561, AFN6562, AFN6820, AFN6830, IRFP260, AFN7002DS, AFN7002KAS, AFN7106S, AFN7400, AFN7402, AFN7412, AFN7420, AFN7424S
History: AFN7400 | DMG6602SVTQ
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560



