AFN7106S Todos los transistores

 

AFN7106S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN7106S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
 

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AFN7106S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:568K  alfa-mos
 afn7106s.pdf pdf_icon

AFN7106S

AFN7106S Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7106S, N-Channel enhancement mode 20V/20A,RDS(ON)=6.2m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/15A,RDS(ON)=8.4m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited f

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History: SMIRF12N65T1TL | GSM4637W | AP4407GP | 2SK3033 | 2SK3042 | QM3203S | CSB4110

 

 
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