AFN7106S Todos los transistores

 

AFN7106S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN7106S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
 

 Búsqueda de reemplazo de AFN7106S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AFN7106S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:568K  alfa-mos
afn7106s.pdf pdf_icon

AFN7106S

AFN7106S Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7106S, N-Channel enhancement mode 20V/20A,RDS(ON)=6.2m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/15A,RDS(ON)=8.4m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited f

Otros transistores... AFN6530S , AFN6561 , AFN6562 , AFN6820 , AFN6830 , AFN7002AS , AFN7002DS , AFN7002KAS , IRF9540N , AFN7400 , AFN7402 , AFN7412 , AFN7420 , AFN7424S , AFN7472S , AFN8205 , AFN8411 .

History: IPP60R165CP

 

 
Back to Top

 


History: IPP60R165CP

AFN7106S
  AFN7106S
  AFN7106S
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793

 


 
.