AFN7106S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN7106S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN7106S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN7106S даташит

 ..1. Size:568K  alfa-mos
 afn7106s.pdf pdf_icon

AFN7106S

AFN7106S Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7106S, N-Channel enhancement mode 20V/20A,RDS(ON)=6.2m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/15A,RDS(ON)=8.4m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited f

Другие IGBT... AFN6530S, AFN6561, AFN6562, AFN6820, AFN6830, AFN7002AS, AFN7002DS, AFN7002KAS, SKD502T, AFN7400, AFN7402, AFN7412, AFN7420, AFN7424S, AFN7472S, AFN8205, AFN8411