Справочник MOSFET. AFN7106S

 

AFN7106S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN7106S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для AFN7106S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN7106S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:568K  alfa-mos
 afn7106s.pdf pdf_icon

AFN7106S

AFN7106S Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN7106S, N-Channel enhancement mode 20V/20A,RDS(ON)=6.2m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/15A,RDS(ON)=8.4m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited f

Другие MOSFET... AFN6530S , AFN6561 , AFN6562 , AFN6820 , AFN6830 , AFN7002AS , AFN7002DS , AFN7002KAS , IRF9540N , AFN7400 , AFN7402 , AFN7412 , AFN7420 , AFN7424S , AFN7472S , AFN8205 , AFN8411 .

History: AP4N1R1CDT-A | 3401A | QM3014N3 | APT18F60B

 

 
Back to Top

 


 
.