AFN8205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFN8205
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP-6
Búsqueda de reemplazo de AFN8205 MOSFET
AFN8205 Datasheet (PDF)
afn8205.pdf
AFN8205 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8205, N-Channel enhancement mode 20V/5A,RDS(ON)=29m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.2A,RDS(ON)=37m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=50m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super
Otros transistores... AFN7002KAS , AFN7106S , AFN7400 , AFN7402 , AFN7412 , AFN7420 , AFN7424S , AFN7472S , IRFB3607 , AFN8411 , AFN8412 , AFN8439 , AFN8471 , AFN8495 , AFN8816 , AFN8822 , AFN8822S .
Liste
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