AFN8205 Todos los transistores

 

AFN8205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN8205
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
     - Selección de transistores por parámetros

 

AFN8205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:566K  alfa-mos
 afn8205.pdf pdf_icon

AFN8205

AFN8205 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8205, N-Channel enhancement mode 20V/5A,RDS(ON)=29m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.2A,RDS(ON)=37m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=50m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SK3850D | SW2N70 | NTD25P03LRLG | AP09N70P-H | IXTH64N10L2 | IRHMK57260SE | TSD5N60M

 

 
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