AFN8205 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFN8205  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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AFN8205 datasheet

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AFN8205

AFN8205 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8205, N-Channel enhancement mode 20V/5A,RDS(ON)=29m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.2A,RDS(ON)=37m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=50m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super

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