Справочник MOSFET. AFN8205

 

AFN8205 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN8205
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для AFN8205

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN8205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:566K  alfa-mos
 afn8205.pdf pdf_icon

AFN8205

AFN8205 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8205, N-Channel enhancement mode 20V/5A,RDS(ON)=29m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.2A,RDS(ON)=37m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=50m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super

Другие MOSFET... AFN7002KAS , AFN7106S , AFN7400 , AFN7402 , AFN7412 , AFN7420 , AFN7424S , AFN7472S , AON7506 , AFN8411 , AFN8412 , AFN8439 , AFN8471 , AFN8495 , AFN8816 , AFN8822 , AFN8822S .

History: HFP6N70U | MMP2311 | 1N65L-T92-B | AFP4535 | STD180N4F6 | IXTY1R6N50D2 | PHB225NQ04T

 

 
Back to Top

 


 
.