AFN8205 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN8205  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN8205

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN8205 даташит

 ..1. Size:566K  alfa-mos
 afn8205.pdf pdf_icon

AFN8205

AFN8205 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8205, N-Channel enhancement mode 20V/5A,RDS(ON)=29m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.2A,RDS(ON)=37m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=50m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super

Другие IGBT... AFN7002KAS, AFN7106S, AFN7400, AFN7402, AFN7412, AFN7420, AFN7424S, AFN7472S, IRFB3607, AFN8411, AFN8412, AFN8439, AFN8471, AFN8495, AFN8816, AFN8822, AFN8822S