AFN9530 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFN9530  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 90 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm

Encapsulados: TO-220

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AFN9530 datasheet

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AFN9530

AFN9530 Alfa-MOS 90V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN9530, N-Channel enhancement mode 90V/15A,RDS(ON)= 78m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 90V/12A,RDS(ON)= 88m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for lo

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