AFN9530 Todos los transistores

 

AFN9530 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN9530
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 90 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de AFN9530 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AFN9530 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:569K  alfa-mos
 afn9530.pdf pdf_icon

AFN9530

AFN9530 Alfa-MOS 90V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN9530, N-Channel enhancement mode 90V/15A,RDS(ON)= 78m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 90V/12A,RDS(ON)= 88m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for lo

Otros transistores... AFN8904 , AFN8918 , AFN8936 , AFN8968 , AFN8987 , AFN8987W , AFN8988 , AFN8988W , IRFZ46N , AFN9910 , AFN9971 , AFN9971B , AFN9972S , AFN9977 , AFN9987 , AFN9995S , AFN9997 .

History: SWU16N70K | SPD30N03S2L-10G | FQP10N20CTSTU | STQ2NK60ZR-AP | AM90P03-03P | 2SJ106 | VBZE06N03

 

 
Back to Top

 


 
.