AFN9530 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFN9530
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 90 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 10 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.078 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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AFN9530 Datasheet (PDF)
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AFN9530 Alfa-MOS 90V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN9530, N-Channel enhancement mode 90V/15A,RDS(ON)= 78m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 90V/12A,RDS(ON)= 88m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for lo
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