AFN9530 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN9530  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 90 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN9530

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN9530 даташит

 ..1. Size:569K  alfa-mos
 afn9530.pdf pdf_icon

AFN9530

AFN9530 Alfa-MOS 90V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN9530, N-Channel enhancement mode 90V/15A,RDS(ON)= 78m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 90V/12A,RDS(ON)= 88m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for lo

Другие IGBT... AFN8904, AFN8918, AFN8936, AFN8968, AFN8987, AFN8987W, AFN8988, AFN8988W, SI2302, AFN9910, AFN9971, AFN9971B, AFN9972S, AFN9977, AFN9987, AFN9995S, AFN9997