Справочник MOSFET. AFN9530

 

AFN9530 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN9530
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для AFN9530

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN9530 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:569K  alfa-mos
 afn9530.pdf pdf_icon

AFN9530

AFN9530 Alfa-MOS 90V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN9530, N-Channel enhancement mode 90V/15A,RDS(ON)= 78m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 90V/12A,RDS(ON)= 88m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for lo

Другие MOSFET... AFN8904 , AFN8918 , AFN8936 , AFN8968 , AFN8987 , AFN8987W , AFN8988 , AFN8988W , IRFZ46N , AFN9910 , AFN9971 , AFN9971B , AFN9972S , AFN9977 , AFN9987 , AFN9995S , AFN9997 .

History: STF32N65M5 | IXTH90P10P | 2SK1206

 

 
Back to Top

 


 
.