AFN9530 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AFN9530
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для AFN9530
AFN9530 Datasheet (PDF)
afn9530.pdf

AFN9530 Alfa-MOS 90V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN9530, N-Channel enhancement mode 90V/15A,RDS(ON)= 78m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 90V/12A,RDS(ON)= 88m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for lo
Другие MOSFET... AFN8904 , AFN8918 , AFN8936 , AFN8968 , AFN8987 , AFN8987W , AFN8988 , AFN8988W , 2N60 , AFN9910 , AFN9971 , AFN9971B , AFN9972S , AFN9977 , AFN9987 , AFN9995S , AFN9997 .
History: SSM6N25TU
History: SSM6N25TU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60