AFP1073 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AFP1073
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.62 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-723

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFP1073

AFP1073 Datasheet (PDF)

..1. Size:661K alfa-mos
afp1073.pdf

AFP1073 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1073, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A, RDS(ON)= 620 m@ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.35A, RDS(ON)= 860 m@ VGS =-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A, RDS(ON)= 1450 m@ VGS =-1.8V These devices are part

9.1. Size:574K alfa-mos
afp1013.pdf

AFP1013 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1013, P-Channel enhancement mode -20V/-0.6A, RDS(ON)= 620 m@ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.5A, RDS(ON)= 860 m@ VGS =-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.4A, RDS(ON)= 1450 m@ VGS =-1.8V These devices are particu

9.2. Size:546K alfa-mos
afp1033.pdf

AFP1033 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1033, P-Channel enhancement mode -30V/-0.6A, RDS(ON)= 750 m@ VGS =-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-0.3A, RDS(ON)= 950 m@ VGS =-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for

9.3. Size:598K alfa-mos
afp1023.pdf

AFP1023 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1023, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A, RDS(ON)= 620 m@ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.35A, RDS(ON)= 860 m@ VGS =-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A, RDS(ON)= 1450 m@ VGS =-1.8V These devices are part

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Liste

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