AFP1303 Todos los transistores

 

AFP1303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFP1303
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323
 

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AFP1303 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:581K  alfa-mos
 afp1303.pdf pdf_icon

AFP1303

AFP1303 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1303, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A, RDS(ON)= 600 m@ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.35A, RDS(ON)= 800 m@ VGS =-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A, RDS(ON)= 1300 m@ VGS =-1.8V These devices are particular

Otros transistores... AFN9977 , AFN9987 , AFN9995S , AFN9997 , AFP1013 , AFP1023 , AFP1033 , AFP1073 , IRFZ46N , AFP1413 , AFP1433 , AFP1810 , AFP1913 , AFP2301 , AFP2301A , AFP2301AS , AFP2301S .

History: NTD4810N-1G | SI8808DB | CS3N80BU | 2SK2473-01 | AO4710 | HFP5N60F

 

 
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