AFP1303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AFP1303
   Código: 03*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFP1303

AFP1303 Datasheet (PDF)

..1. Size:581K alfa-mos
afp1303.pdf

AFP1303 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1303, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A, RDS(ON)= 600 m@ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.35A, RDS(ON)= 800 m@ VGS =-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A, RDS(ON)= 1300 m@ VGS =-1.8V These devices are particular

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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