AFP1303 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFP1303  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: SOT-323

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AFP1303 datasheet

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AFP1303

AFP1303 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1303, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A, RDS(ON)= 600 m @ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.35A, RDS(ON)= 800 m @ VGS =-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A, RDS(ON)= 1300 m @ VGS =-1.8V These devices are particular

Otros transistores... AFN9977, AFN9987, AFN9995S, AFN9997, AFP1013, AFP1023, AFP1033, AFP1073, IRFB31N20D, AFP1413, AFP1433, AFP1810, AFP1913, AFP2301, AFP2301A, AFP2301AS, AFP2301S