Справочник MOSFET. AFP1303

 

AFP1303 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFP1303
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
 

 Аналог (замена) для AFP1303

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP1303 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:581K  alfa-mos
 afp1303.pdf pdf_icon

AFP1303

AFP1303 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1303, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A, RDS(ON)= 600 m@ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.35A, RDS(ON)= 800 m@ VGS =-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A, RDS(ON)= 1300 m@ VGS =-1.8V These devices are particular

Другие MOSFET... AFN9977 , AFN9987 , AFN9995S , AFN9997 , AFP1013 , AFP1023 , AFP1033 , AFP1073 , IRF730 , AFP1413 , AFP1433 , AFP1810 , AFP1913 , AFP2301 , AFP2301A , AFP2301AS , AFP2301S .

History: BRCS065N08SHRA | HUFA75337G3 | TPC60R150C

 

 
Back to Top

 


 
.