AFP1303 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP1303  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP1303

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP1303 даташит

 ..1. Size:581K  alfa-mos
 afp1303.pdf pdf_icon

AFP1303

AFP1303 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1303, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A, RDS(ON)= 600 m @ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.35A, RDS(ON)= 800 m @ VGS =-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A, RDS(ON)= 1300 m @ VGS =-1.8V These devices are particular

Другие IGBT... AFN9977, AFN9987, AFN9995S, AFN9997, AFP1013, AFP1023, AFP1033, AFP1073, IRFB31N20D, AFP1413, AFP1433, AFP1810, AFP1913, AFP2301, AFP2301A, AFP2301AS, AFP2301S