AFP1413 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFP1413  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 223 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: SOT-323

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de AFP1413 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AFP1413 datasheet

 ..1. Size:524K  alfa-mos
 afp1413.pdf pdf_icon

AFP1413

AFP1413 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A,RDS(ON)=125m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.4A,RDS(ON)=160m @VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly su

 9.1. Size:570K  alfa-mos
 afp1433.pdf pdf_icon

AFP1413

AFP1433 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1433, P-Channel enhancement mode -30V/-3.0A,RDS(ON)=150m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-2.6A,RDS(ON)=185m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

Otros transistores... AFN9987, AFN9995S, AFN9997, AFP1013, AFP1023, AFP1033, AFP1073, AFP1303, STP65NF06, AFP1433, AFP1810, AFP1913, AFP2301, AFP2301A, AFP2301AS, AFP2301S, AFP2303