AFP1413 Todos los transistores

 

AFP1413 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFP1413
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 223 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323
 

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AFP1413 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:524K  alfa-mos
 afp1413.pdf pdf_icon

AFP1413

AFP1413 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A,RDS(ON)=125m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.4A,RDS(ON)=160m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly su

 9.1. Size:570K  alfa-mos
 afp1433.pdf pdf_icon

AFP1413

AFP1433 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1433, P-Channel enhancement mode -30V/-3.0A,RDS(ON)=150m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-2.6A,RDS(ON)=185m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

Otros transistores... AFN9987 , AFN9995S , AFN9997 , AFP1013 , AFP1023 , AFP1033 , AFP1073 , AFP1303 , IRFZ48N , AFP1433 , AFP1810 , AFP1913 , AFP2301 , AFP2301A , AFP2301AS , AFP2301S , AFP2303 .

History: AM2320NE | CEB45N10 | CEP20P10 | RJK2017DPE | RJK1536DPN | HGK037N10S | IXTK20N140

 

 
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