Справочник MOSFET. AFP1413

 

AFP1413 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFP1413
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
 

 Аналог (замена) для AFP1413

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP1413 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:524K  alfa-mos
 afp1413.pdf pdf_icon

AFP1413

AFP1413 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A,RDS(ON)=125m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.4A,RDS(ON)=160m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly su

 9.1. Size:570K  alfa-mos
 afp1433.pdf pdf_icon

AFP1413

AFP1433 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1433, P-Channel enhancement mode -30V/-3.0A,RDS(ON)=150m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-2.6A,RDS(ON)=185m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

Другие MOSFET... AFN9987 , AFN9995S , AFN9997 , AFP1013 , AFP1023 , AFP1033 , AFP1073 , AFP1303 , IRFZ48N , AFP1433 , AFP1810 , AFP1913 , AFP2301 , AFP2301A , AFP2301AS , AFP2301S , AFP2303 .

History: AON4420L | J310 | 2N80L-TND-R | CHM610ADPAGP | SI2309A

 

 
Back to Top

 


 
.