AFP1413 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP1413  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP1413

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP1413 даташит

 ..1. Size:524K  alfa-mos
 afp1413.pdf pdf_icon

AFP1413

AFP1413 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A,RDS(ON)=125m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.4A,RDS(ON)=160m @VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly su

 9.1. Size:570K  alfa-mos
 afp1433.pdf pdf_icon

AFP1413

AFP1433 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1433, P-Channel enhancement mode -30V/-3.0A,RDS(ON)=150m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-2.6A,RDS(ON)=185m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

Другие IGBT... AFN9987, AFN9995S, AFN9997, AFP1013, AFP1023, AFP1033, AFP1073, AFP1303, STP65NF06, AFP1433, AFP1810, AFP1913, AFP2301, AFP2301A, AFP2301AS, AFP2301S, AFP2303