AFP1433 Todos los transistores

 

AFP1433 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFP1433
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323
 

 Búsqueda de reemplazo de AFP1433 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AFP1433 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:570K  alfa-mos
 afp1433.pdf pdf_icon

AFP1433

AFP1433 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1433, P-Channel enhancement mode -30V/-3.0A,RDS(ON)=150m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-2.6A,RDS(ON)=185m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 9.1. Size:524K  alfa-mos
 afp1413.pdf pdf_icon

AFP1433

AFP1413 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A,RDS(ON)=125m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.4A,RDS(ON)=160m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly su

Otros transistores... AFN9995S , AFN9997 , AFP1013 , AFP1023 , AFP1033 , AFP1073 , AFP1303 , AFP1413 , IRF9640 , AFP1810 , AFP1913 , AFP2301 , AFP2301A , AFP2301AS , AFP2301S , AFP2303 , AFP2303A .

History: SFB1800N650C2 | APT10045B2LLG | RD3T100CN

 

 
Back to Top

 


 
.