Справочник MOSFET. AFP1433

 

AFP1433 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFP1433
   Маркировка: 33*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 4 nC
   Время нарастания (tr): 8 ns
   Выходная емкость (Cd): 40 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323

 Аналог (замена) для AFP1433

 

 

AFP1433 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:570K  alfa-mos
 afp1433.pdf

AFP1433 AFP1433

AFP1433 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1433, P-Channel enhancement mode -30V/-3.0A,RDS(ON)=150m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-2.6A,RDS(ON)=185m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 9.1. Size:524K  alfa-mos
 afp1413.pdf

AFP1433 AFP1433

AFP1413 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A,RDS(ON)=125m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.4A,RDS(ON)=160m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly su

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top