AFP1433 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AFP1433
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: SOT-323
AFP1433 Datasheet (PDF)
afp1433.pdf
AFP1433 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1433, P-Channel enhancement mode -30V/-3.0A,RDS(ON)=150m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-2.6A,RDS(ON)=185m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s
afp1413.pdf
AFP1413 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A,RDS(ON)=125m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.4A,RDS(ON)=160m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly su
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918