AFP1433 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP1433  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP1433

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP1433 даташит

 ..1. Size:570K  alfa-mos
 afp1433.pdf pdf_icon

AFP1433

AFP1433 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1433, P-Channel enhancement mode -30V/-3.0A,RDS(ON)=150m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-2.6A,RDS(ON)=185m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 9.1. Size:524K  alfa-mos
 afp1413.pdf pdf_icon

AFP1433

AFP1413 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A,RDS(ON)=125m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.4A,RDS(ON)=160m @VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly su

Другие IGBT... AFN9995S, AFN9997, AFP1013, AFP1023, AFP1033, AFP1073, AFP1303, AFP1413, IRF1405, AFP1810, AFP1913, AFP2301, AFP2301A, AFP2301AS, AFP2301S, AFP2303, AFP2303A