AFP1810 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFP1810  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm

Encapsulados: SOP-8P

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AFP1810 datasheet

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AFP1810

AFP1810 Alfa-MOS 100V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1810, P-Channel enhancement mode -100/-2.0A,RDS(ON)= 230m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -100/-1.0A,RDS(ON)= 245m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularl

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