AFP1810 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP1810  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: SOP-8P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP1810

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP1810 даташит

 ..1. Size:551K  alfa-mos
 afp1810.pdf pdf_icon

AFP1810

AFP1810 Alfa-MOS 100V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1810, P-Channel enhancement mode -100/-2.0A,RDS(ON)= 230m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -100/-1.0A,RDS(ON)= 245m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularl

Другие IGBT... AFN9997, AFP1013, AFP1023, AFP1033, AFP1073, AFP1303, AFP1413, AFP1433, 7N60, AFP1913, AFP2301, AFP2301A, AFP2301AS, AFP2301S, AFP2303, AFP2303A, AFP2307A