Справочник MOSFET. AFP1810

 

AFP1810 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFP1810
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
 

 Аналог (замена) для AFP1810

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP1810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:551K  alfa-mos
 afp1810.pdf pdf_icon

AFP1810

AFP1810 Alfa-MOS 100V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1810, P-Channel enhancement mode -100/-2.0A,RDS(ON)= 230m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -100/-1.0A,RDS(ON)= 245m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularl

Другие MOSFET... AFN9997 , AFP1013 , AFP1023 , AFP1033 , AFP1073 , AFP1303 , AFP1413 , AFP1433 , MMIS60R580P , AFP1913 , AFP2301 , AFP2301A , AFP2301AS , AFP2301S , AFP2303 , AFP2303A , AFP2307A .

History: CM8N80F | AP4575GM-HF | CTD03N003 | IRFS645 | SSM3K03FE

 

 
Back to Top

 


 
.