AFP1913 Todos los transistores

 

AFP1913 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFP1913
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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AFP1913 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:587K  alfa-mos
 afp1913.pdf pdf_icon

AFP1913

AFP1913 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1913, P-Channel enhancement mode -20V/-0.6A, RDS(ON)= 600 m@ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.5A, RDS(ON)= 800 m@ VGS =-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.4A, RDS(ON)= 1600 m@ VGS =-1.8V These devices are particu

Otros transistores... AFP1013 , AFP1023 , AFP1033 , AFP1073 , AFP1303 , AFP1413 , AFP1433 , AFP1810 , RU7088R , AFP2301 , AFP2301A , AFP2301AS , AFP2301S , AFP2303 , AFP2303A , AFP2307A , AFP2309 .

History: AP10N012IN | 2SK3516-01L | 2SK2235 | BSC079N10NSG | NTMFD4C85N | SI3134KDW | BSZ0902NS

 

 
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