AFP1913 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFP1913  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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AFP1913 datasheet

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AFP1913

AFP1913 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1913, P-Channel enhancement mode -20V/-0.6A, RDS(ON)= 600 m @ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.5A, RDS(ON)= 800 m @ VGS =-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.4A, RDS(ON)= 1600 m @ VGS =-1.8V These devices are particu

Otros transistores... AFP1013, AFP1023, AFP1033, AFP1073, AFP1303, AFP1413, AFP1433, AFP1810, IRFZ48N, AFP2301, AFP2301A, AFP2301AS, AFP2301S, AFP2303, AFP2303A, AFP2307A, AFP2309