AFP1913 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP1913  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP1913

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP1913 даташит

 ..1. Size:587K  alfa-mos
 afp1913.pdf pdf_icon

AFP1913

AFP1913 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1913, P-Channel enhancement mode -20V/-0.6A, RDS(ON)= 600 m @ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.5A, RDS(ON)= 800 m @ VGS =-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.4A, RDS(ON)= 1600 m @ VGS =-1.8V These devices are particu

Другие IGBT... AFP1013, AFP1023, AFP1033, AFP1073, AFP1303, AFP1413, AFP1433, AFP1810, IRFZ48N, AFP2301, AFP2301A, AFP2301AS, AFP2301S, AFP2303, AFP2303A, AFP2307A, AFP2309