Справочник MOSFET. AFP1913

 

AFP1913 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFP1913
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP1913 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:587K  alfa-mos
 afp1913.pdf pdf_icon

AFP1913

AFP1913 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP1913, P-Channel enhancement mode -20V/-0.6A, RDS(ON)= 600 m@ VGS =-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-0.5A, RDS(ON)= 800 m@ VGS =-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.4A, RDS(ON)= 1600 m@ VGS =-1.8V These devices are particu

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.