AFP2911W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFP2911W  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.096 Ohm

Encapsulados: DFN2X2-6L

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AFP2911W datasheet

 ..1. Size:769K  alfa-mos
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AFP2911W

AFP2911W Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2911W, P-Channel enhancement mode -20V/-4.5A,RDS(ON)=96m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-3.8A,RDS(ON)=128m @VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.5A,RDS(ON)=180m @VGS=-1.8V These devices are particularly suited fo

 8.1. Size:640K  alfa-mos
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AFP2911W

AFP2913W Alfa-MOS 25V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2913W, P-Channel enhancement mode -25V/-4.5A,RDS(ON)=120m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -25V/-3.8A,RDS(ON)=155m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

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