AFP2911W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AFP2911W
   Código: W11*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.096 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFP2911W

AFP2911W Datasheet (PDF)

..1. Size:769K alfa-mos
afp2911w.pdf

AFP2911W Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2911W, P-Channel enhancement mode -20V/-4.5A,RDS(ON)=96m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-3.8A,RDS(ON)=128m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.5A,RDS(ON)=180m@VGS=-1.8V These devices are particularly suited fo

8.1. Size:640K alfa-mos
afp2913w.pdf

AFP2913W Alfa-MOS 25V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2913W, P-Channel enhancement mode -25V/-4.5A,RDS(ON)=120m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -25V/-3.8A,RDS(ON)=155m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

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Liste

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