AFP2911W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP2911W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.096 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-6L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP2911W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP2911W даташит

 ..1. Size:769K  alfa-mos
 afp2911w.pdf pdf_icon

AFP2911W

AFP2911W Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2911W, P-Channel enhancement mode -20V/-4.5A,RDS(ON)=96m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-3.8A,RDS(ON)=128m @VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.5A,RDS(ON)=180m @VGS=-1.8V These devices are particularly suited fo

 8.1. Size:640K  alfa-mos
 afp2913w.pdf pdf_icon

AFP2911W

AFP2913W Alfa-MOS 25V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2913W, P-Channel enhancement mode -25V/-4.5A,RDS(ON)=120m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -25V/-3.8A,RDS(ON)=155m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

Другие IGBT... AFP2323A, AFP2333A, AFP2337A, AFP2341, AFP2343A, AFP2367AS, AFP2367S, AFP2379, 50N06, AFP2913W, AFP3050S, AFP3401AS, AFP3401S, AFP3403, AFP3403A, AFP3405, AFP3407AS