AFP3050S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFP3050S
Código: 3050S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 40 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.1 V
Carga de la puerta (Qg): 10 nC
Tiempo de subida (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFP3050S
AFP3050S Datasheet (PDF)
afp3050s.pdf
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AFP3050S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3050S, P-Channel enhancement mode -30V/-9A,RDS(ON)=60m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-7A,RDS(ON)=72m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-5A,RDS(ON)=108m@VGS=-2.5V These devices are particularly suited for low
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