Справочник MOSFET. AFP3050S

 

AFP3050S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFP3050S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AFP3050S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP3050S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:849K  alfa-mos
 afp3050s.pdf pdf_icon

AFP3050S

AFP3050S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3050S, P-Channel enhancement mode -30V/-9A,RDS(ON)=60m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-7A,RDS(ON)=72m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-5A,RDS(ON)=108m@VGS=-2.5V These devices are particularly suited for low

Другие MOSFET... AFP2337A , AFP2341 , AFP2343A , AFP2367AS , AFP2367S , AFP2379 , AFP2911W , AFP2913W , IRFZ44 , AFP3401AS , AFP3401S , AFP3403 , AFP3403A , AFP3405 , AFP3407AS , AFP3407S , AFP3411 .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | FQA11N90 | HGN080N10SL | PD696BA | QM3018D

 

 
Back to Top

 


 
.