AFP3050S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP3050S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP3050S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP3050S даташит

 ..1. Size:849K  alfa-mos
 afp3050s.pdf pdf_icon

AFP3050S

AFP3050S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3050S, P-Channel enhancement mode -30V/-9A,RDS(ON)=60m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-7A,RDS(ON)=72m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-5A,RDS(ON)=108m @VGS=-2.5V These devices are particularly suited for low

Другие IGBT... AFP2337A, AFP2341, AFP2343A, AFP2367AS, AFP2367S, AFP2379, AFP2911W, AFP2913W, IRFZ44, AFP3401AS, AFP3401S, AFP3403, AFP3403A, AFP3405, AFP3407AS, AFP3407S, AFP3411