Справочник MOSFET. AFP3050S

 

AFP3050S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFP3050S
   Маркировка: 3050S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для AFP3050S

 

 

AFP3050S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:849K  alfa-mos
 afp3050s.pdf

AFP3050S AFP3050S

AFP3050S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3050S, P-Channel enhancement mode -30V/-9A,RDS(ON)=60m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-7A,RDS(ON)=72m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-5A,RDS(ON)=108m@VGS=-2.5V These devices are particularly suited for low

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top