AFP3407S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFP3407S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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AFP3407S datasheet

 ..1. Size:530K  alfa-mos
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AFP3407S

AFP3407S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3407S, P-Channel enhancement mode -30V/-3.6A,RDS(ON)=75m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-3.2A,RDS(ON)=95m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 7.1. Size:662K  alfa-mos
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AFP3407S

AFP3407AS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3407AS, P-Channel enhancement mode -30V/-2.8A,RDS(ON)=77m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-2.4A,RDS(ON)=102m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularl

 8.1. Size:462K  alfa-mos
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AFP3407S

AFP3405 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3405, P-Channel enhancement mode -30V/-4.0A,RDS(ON)=40m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-2.8A,RDS(ON)=50m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suite

 8.2. Size:766K  alfa-mos
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AFP3407S

AFP3401AS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3401AS, P-Channel enhancement mode -30V/-2.4 RDS(ON)=70 @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-1.8 RDS(ON)=80 @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-1.2 RDS(ON)=105 @VGS=-2.5V These devices are particularly suited for lo

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